У нас уже
176407
рефератов, курсовых и дипломных работ
Сделать закладку на сайт
Главная
Сделать заказ
Готовые работы
Почему именно мы?
Ценовая политика
Как оплатить?
Подбор персонала
О нас
Творчество авторов
Быстрый переход к готовым работам
Контрольные
Рефераты
Отчеты
Курсовые
Дипломы
Диссертации
Мнение посетителей:
Понравилось
Не понравилось
Книга жалоб
и предложений
Название
Моделирование и исследование транзисторного ключа
Количество страниц
10
ВУЗ
Севастопольский национальный технический университет
Год сдачи
2010
Содержание
Цель работы:
Моделирование транзисторного ключа в среде «CIRCUITMAKER». Исследование характеристик транзисторного ключа по схеме с общим эмиттером.
Таблица 1- Технические параметры транзисторного ключа
№ Характеристические параметры Значения
1 Проводимость транзистора «npn»
2 Напряжение питания (В) 19
3 Коэффициент передачи тока базы транзистора
19
4 Ток эмиттера транзистора в статическом режиме (мА*10-1) 19
5 Нижняя частота входного сигнала (Гц) 719
6 Рабочая температура ( )
19
Ход работы:
Расчет транзисторного ключа
1. Выбор транзистора по параметрам: Iк.max; ; Uост; Uкэ.max.
2. Выбор тока эмиттера Iэ.
3. Расчет температурного потенциала т
4. Расчет сопротивления вывода эмиттера rэ
5. Расчет параметра а
6. Расчет тока коллектора Iк:
7. Расчет тока базы Iб:
8. Расчет сопротивления в цепи коллектора Rк:
9. Расчет мощности резистора нагрузки Rк:
10. Расчет входного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером :
11. Расчет ограничивающего резистора Rб
12. Проверочный расчет напряжения питания Епр:
Обработка результатов
Вывод: Транзисторный ключ относится к релейным устройствам автоматизации.
Эти устройства работают по принципу реле: замкнут – разомкнут; включен – выключен; логическая «1» - логический «0». Переход из одного состояния в другое происходит скачком. Для реализации релейной функции преобразования используются электронные ключи на биполярных и полевых транзисторах. С помощью транзисторного ключа коммутируются электрические цепи одной мощности посредством управляющих сигналов другой мощности.
В схеме с ОЭ транзистор работает в ключевом (релейном) режиме. Сопротивление в коллекторной цепи транзистора (нагрузка ключа) ограничивает ток коллектора в режиме насыщения. Сопротивление ограничивает ток базы, за счет чего увеличивается входное сопротивление транзисторного ключа в целом. Для насыщения транзистора необходимо, чтобы напряжение между базой и эмиттером превышало статический потенциал эмиттерного pn–перехода . Таким образом, транзисторный ключ с ОЭ выполняет операцию инверсии (изменяет фазу выходного сигнала относительно входного на угол ).
Список литературы
Цена, в рублях:
(при оплате в другой валюте, пересчет по курсу центрального банка на день оплаты)
500
Найти готовую работу
ЗАКАЗАТЬ
Обратная
связь:
Связаться
Вход для партнеров
Регистрация
Восстановить доступ
Материал для курсовых и дипломных работ
29.04.24
Результаты оценки психологических детерминант гражданской идентичности учащихся старших классов
29.04.24
Программа формирования гражданской идентичности старшеклассников
29.04.24
Психологические основания для разработки программы формирования гражданской идентичности старшеклассников
Архив материала для курсовых и дипломных работ
Ссылки:
Счетчики:
© 2006-2022. Все права защищены.
Выполнение уникальных качественных работ - от эссе и реферата до диссертации. Заказ готовых, сдававшихся ранее работ.